安捷倫(Agilent)與恩智浦(NXP)半導體共同宣布，將針對安捷倫得獎的非線性向量網(wǎng)路分析儀(NVNA)提供現(xiàn)場展示。該NVNA必須在安捷倫的PNA-X系列網(wǎng)路分析儀上執(zhí)行，在這次的展示中，將被用來對NXP專為2.45GHz ISM頻帶應用而設計的高功率橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)電晶體進行特性描述。

基于NVNA的基本訊號源和負載拉移系統(tǒng)，可以在2400～2500MHz的頻帶內，分析NXP的250瓦射頻(RF)功率元件。這場展示已于10月11～13日，在英國曼徹斯特中心登場的歐洲微波周中進行。

該量測系統(tǒng)可以在基本頻率和諧波頻率下進行非線性行為的特性描述，并提供強大的X參數(shù)模擬能力。搭配被動調諧器(Passive Tuner)使用，則可量測10M～67GHz的頻率范圍。

展示時，將會使用NXP的BLF2425M7L250P電晶體作為待測元件(DUT)。這款采用Si-LDMOS技術的第七代產(chǎn)品，是特別為2.45 GHz ISM頻帶應用而設計。它將峰值功率位準提高到250瓦以上，并提供大于16dB的增益和高于50%的吸汲效率(Drain Efficiency)。如同NXP其他的射頻功率元件一樣，BLF2425M7L250P也具備絕佳的耐用性，這對于通常會使用笨重的射頻負載的ISM 應用空間來說，是最重要的一項特性。

臺灣安捷倫董事長暨電子量測事業(yè)群總經(jīng)理張志銘表示，多虧有NVNA，才能在逼真的輸入和輸出匹配情況下，利用大訊號激發(fā)來分析元件的行為特性，并從該設定了解到可提供深入的元件分析之重要效益指數(shù)，例如輸出功率等位線、功率附加效率(PAE)等位線、以及負載相依的動態(tài)負載線路。這項資訊有助于大幅縮短我們在射頻電路和元件模擬模型的前置時間(Lead Time)，從而協(xié)助客戶加速產(chǎn)品上市時程。

安捷倫網(wǎng)址：www.agilent.com