鉬通常用在CIGS太陽能電池中作為背觸材料，近來濺射靶生產商Plansee同TU Bergakademie Freiberg合作開展以此為主題的深入研究。Plansee的研究成果在ICMCTF Conference上公布，得出了鉬薄膜中對導電性有決定性影響的流程錯誤和缺陷類型。濺射過程中出現(xiàn)雜質和不正確的流程溫度據稱是影響材料導電性的主要因素。

鐵、鎳和鉻等雜質如果含量過高，可能會導致薄膜導電性降低40%以上。要抵消這種影響可以提高CIGS生產過程中濺射靶的純度。如果鉬晶格中出現(xiàn)錯位或缺陷，也可能會在很大程度上影響鉬薄膜的導電性。

盡管錯位有助于金屬的和易性，但會將導電性降低14%之多。Plansee和TU Bergakademie Freiberg在這方面的研究發(fā)現(xiàn)顯示出這種影響可以通過達150°C度的流程溫度而非以往的室溫來降低一半。

通過如此高的溫度便可降低聚集在晶格上的填隙式雜質(通常由氮、氧和氬等組成)的影響。

因為這可能會將薄膜的導電性降低12%。溫度達150°C時，小原子的活性足以沖破鉬晶格的束縛。鉬材料的測試通過在鈉鈣玻璃上涂覆薄膜來實施，從而得以使薄層釋放出基本特性，測量出薄膜的電阻并通過Transmission Electron Microscopy (TEM)和X射線衍射(GAXRD)分析薄膜的微結構。研究組由TU Bergakademie Freiberg材料科學研究院的教授David Rafaja和Plansee的薄膜材料開發(fā)人員Harald Köstenbauer領導。