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Solar Frontier旗下CIS薄膜效率達19.7%

   2013-01-09 PV-Tech15400
核心提示:Solar Frontier日前通過啟用濺射和硒化工藝,使CIS薄膜太陽能電池轉換效率破紀錄。目前采用共蒸發(fā)工藝的CIS效率破紀錄,達20.3%。日
Solar Frontier日前通過啟用濺射和硒化工藝,使CIS薄膜太陽能電池轉換效率破紀錄。目前采用共蒸發(fā)工藝的CIS效率破紀錄,達20.3%。

日本先進工業(yè)科技研究所(AIST)證實的18.6%的轉換效率記錄已經維持了十年。然而,Solar Frontier在與日本新能源和工業(yè)技術發(fā)展機構(NEDO)的合作中,推動效率創(chuàng)下19.7%的記錄,這一結果是通過從一塊30cm x 30cm的基板切取約為0.5平方厘米而進行太陽能電池測定得出。

Solar Frontier首席技術官Satoru Kuriyagawa表示:“能量轉換效率方面這一新的成就顯示出Solar Frontier的高水平技術及CIS技術具有巨大潛力。目前Solar Frontier的CIS薄膜組件在實際發(fā)電方面因其高性能而備受贊譽,由于他們不易受陰影或高溫的影響。目前,通過使用這一新型基礎技術,可以獲得更高的實際性能。我們將繼續(xù)致力于進一步加強我們的技術能力,旨在為薄膜太陽能電池創(chuàng)造一項新的世界紀錄。”

Solar Frontier目前正在位于日本國富的工廠生產CIS薄膜太陽能組件,其轉換效率在13%左右。該公司尚未公布此項開發(fā)工藝投產的條件與時間。
 
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