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新式單一步驟制程提高黑矽太陽能電池轉(zhuǎn)換效率

   2014-06-24 eettaiwan 14330
核心提示:美國萊斯大學(xué)(Rice University)的科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種新的材料生產(chǎn)制程,透過在矽晶蝕刻出奈米級突起或孔隙使達(dá)到太陽能電池的陽
美國萊斯大學(xué)(Rice University)的科學(xué)家已經(jīng)開發(fā)出一種新的材料生產(chǎn)制程,透過在矽晶蝕刻出奈米級突起或孔隙使達(dá)到太陽能電池的陽光最大化,從而讓99%以上的陽光都能接觸到電池活性元素。
太陽能面板活性元素吸收的光越多,所產(chǎn)生的能量就越大。但總得有陽光到達(dá)才行。目前用來保護(hù)活性元素的涂層雖然可讓大部分的光線通過,但有一部份卻會被反射掉。盡管透過各種途徑可讓反射程度改善6%,但這些方式卻也限制了光線的范圍、入射角與波長。

「黑矽」(black Slicon)則幾乎不反射光線,并且具有比光波長更小的奈米級突起或孔隙所形成的高度表面紋理。無論是日出到日落,這種紋理表面均有助于從任何角度有效率地收集到光線。

萊斯大學(xué)的化學(xué)家Andrew Barron與Yen-Tien Lu采用一種可在室溫下作業(yè)的單一步驟制程,取代了以往結(jié)合金屬沉積和化學(xué)蝕刻的2步驟制程。


研究人員們開發(fā)出一種簡單的單一步驟制程,能以最小成本提高現(xiàn)有太陽能電池技術(shù)的轉(zhuǎn)換效率。
(來源:Rice University/Barron Research Group)

透過化學(xué)蝕刻可實現(xiàn)硝酸銅、亞磷酸、氟化氫與水的混合。而當(dāng)施加在矽晶圓時,亞磷酸縮減銅離子形成銅奈米粒子。這種奈米粒子可從矽晶圓表面吸收電子,使其氧化,并且讓氟化氫在矽晶中燒出倒三角形的奈米孔隙。

經(jīng)過微調(diào)過程產(chǎn)生了帶有小至590nm孔隙的黑矽層,可穿透99%以上的光線。相形之下,一個未經(jīng)蝕刻的干凈矽晶則反射近100%的光線。

Barron表示,表面突起尖刺仍需采用涂層來與元素隔離,目前研究團(tuán)隊正致力于找到可縮短目前在實驗室中進(jìn)行蝕刻需要8小時制程的方法。不過,這種以單一步驟制程簡化黑矽的開發(fā),已經(jīng)使其較以往的方法更具實用性了。
 
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