美國復(fù)合半導體制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布，公司通過使用標準半導體晶片設(shè)備成功制造出太陽能電池，標志著6英寸砷化?(GaAs)基片上的III-V族多結(jié)光伏電池量產(chǎn)方面獲得突破。

    去年RFMD開始與美國國家可再生能源實驗室(NREL)合作，以NREL的電池設(shè)計知識產(chǎn)權(quán)為基礎(chǔ)，開發(fā)高效能多結(jié)光伏電池的商用高產(chǎn)復(fù)合半導體制程。RFMD計劃2012年開始投產(chǎn)，成為CPV(聚光光伏)電池低成本生產(chǎn)的先驅(qū)，使CPV市場能在每瓦生產(chǎn)成本方面與普通晶硅及薄膜技術(shù)一決高下。

    NREL負責人Dan Arvizu表示，"NREL與RFMD的合作表明我們致力于開發(fā)可再生能源技術(shù)，并與優(yōu)秀的伙伴合作將每項技術(shù)推向市場、投入應(yīng)用。衷心祝賀RFMD所取得的成就，實現(xiàn)了技術(shù)性能上的首座里程碑。"

    RFMD預(yù)期該項目將由"基礎(chǔ)階段"轉(zhuǎn)入"技術(shù)示范階段"，并將應(yīng)用NREL的知識產(chǎn)權(quán)與技術(shù)。實驗室已證明該太陽能電池轉(zhuǎn)換效率最高可達40.8%。

    6英寸晶片是III-V族半導體量產(chǎn)中使用的最大尺寸晶片。目前復(fù)合太陽能電池的制造仍使用較小尺寸晶片及低效率生產(chǎn)設(shè)備。